成都某半导体材料IC芯片制作厂，晶圆加工制作阶段中生产含硅、氟的非常规生产电镀废水，构思处里经营规模1200吨/日。生产电镀废水有效成分很复杂，具有纳米级级硅顆粒及氢佛酸，常用处里方法步骤根本无法标准。 废液基本成分及源 最主要的破坏物 ：胶体溶液硅（100-500nm比表面积）、氟阴阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 原因制作工艺 ：晶圆刻蚀焦化废渣（45%）、CMP生物机械性打磨焦化废渣（40%）、设施冲干净水（15%） 处理工艺技术流程图 去创新利用"化学工业沉淀物+防化膜分开"技术工艺自驾路线： 钙盐结晶 ：添加氯化钙清掉氟铝离子（自动生成CaF2奠定） 斜管沉淀池现象 ：组合斜板沉淀池剂控制电解质溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm粒径膜公款私存微细顆粒 反覆盖系统性 ：脱盐率>98%，收购率75% 蒸发器沉淀 ：浓水段达成氟化物零释放 然后效果好 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（不低于政府四级标准10mg/L） 硅成分：<5mg/L 污水从而英文中水回用率：70%适用保压塔皮肤补水 危险废物回收利用：挥发渣滓量较经典加工才能减少60%